1. D44H11
  2. D44H11

图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

D44H11 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT BP NPN Switching Power Transistor

内部编号

3-D44H11

#1

数量:630
1+¥6.5492
25+¥6.0869
100+¥5.8558
500+¥5.6246
1000+¥5.3164
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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D44H11产品详细规格

规格书 D44H11 datasheet 规格书
D44H8, NZT44H8
D44H11 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 50
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 10A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 1V @ 400mA, 8A
电流 - 集电极截止(最大) 10µA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 40 @ 4A, 1V
功率 - 最大 60W
频率转换 50MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220
包装材料 Tube
集电极最大直流电流 10
最低工作温度 -55
安装 Through Hole
Maximum Transition Frequency 50(Typ)
包装宽度 4.83(Max)
PCB 3
最大功率耗散 1670
类型 NPN
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极发射极电压 80
供应商封装形式 TO-220
标准包装名称 TO-220
最高工作温度 150
包装长度 10.67(Max)
引脚数 3
最小直流电流增益 60@2A@1V
包装高度 9.4(Max)
最大基地发射极电压 5
标签 Tab
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 10A
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 50MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1V @ 400mA, 8A
电流 - 集电极截止(最大) 10µA
标准包装 50
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
供应商设备封装 TO-220
封装 Tube
功率 - 最大 60W
封装/外壳 TO-220-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 40 @ 4A, 1V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 10 A
集电极 - 发射极电压 80 V
发射极 - 基极电压 5 V
频率(最大) 50 MHz
功率耗散 1.67 W
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TO-220
元件数 1
直流电流增益(最小值) 60
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
晶体管极性 NPN
频率 50 MHz
集电极电流(DC ) 10 A
直流电流增益 60
associated D44H11
NTE377

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